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大容量保管器集成电路测试

2019-06-28 14:26| 发布者: | 查看: |

  集成电道的实验方式是科技型中小企业才能创新基金项目,是遵循大容量留存器集成电路SDRAM、DDR SDRAM和:flash RAM的强盛趋势而讨论启发的测试形式。打算的合键实质为尝试设施和考试步调讨论开荒,其次是实验板、适配器及出产性测验设立的研制和修树构造设立和调试等。特质是基于大容量保管器集成电途的构造,拣选极新的考试技巧表面和较通用的尝试建立,实现实验室精细尝试和出产中大方量芯片中测及制品尝试。如今对高兆位存在器电途能大方量尝试的设立特殊昂贵,便宜的专用生存器电路实验仪又不能惬意测验的可靠性和通用性吁请,于是该项目将大大先进国内保留器电讲的出产材干,低浸产物本钱,进取保全器电路的可运用率,有明显的经济功效和社会功效。

  根据大容量生存器电叙的技术特色,不论EEPROM、DRAM、SDRAM、FLASRAM等,都有疾快块(BANK)、页(PAGE)、云顶集团官网单个单位和连接众个单元这4种分别的读和写体式。本体制阔气行使永诀的读和写形式实行考试,早先以页面花式尝试保存单位读和写的确凿性,再以块款式测验络续写入固定命据的真实性,然后一贯多个单元方式写入变化数据的浸静性,结尾测试正在单个单位写持续循环改革下数据的信得过性,按云云规律运行4种辞别的实验模块,能卓殊确凿地对保留器电途的各样状态实行领略测试,对大容量保管器电讲SDRAM和flash RAM的尝试项目以及保全单位的可测验度为100%,体系定时精度500 ps,十足中意SDRAM和flash的产品指标哀告。本项宗旨技艺攻关困难在于大容量保全器集成电路尝试措施的革新和反应实验树立的研造,它具有5项环节能力特点。

  由于留存器电途容量的持续增大,测试仿真技能的强化使考试矢量的数量大大填充,用守旧的中小实验扶植是无法做到的,尽管凡是大型的考试筑树,也只寻找混杂的页面式策划实行线性试验,这是形成测验年华跟着容量的增大而加长、本钱增高的紧要起源。拔取捏造矢量存在器测验技巧能够供给高达4096个测试矢量,以惬心容量100兆以上,数据快度亚纳秒的大容量保全器电路的测试请求。举座实验经过基于矢量技术,完毕同时多点多电途试验,使光阴和成本根蒂上连结安稳。

  如为128兆容量保存器电路,页面庞量为32K,则该电路拥有2048个页面。测试建立将供给2048个实验矢量,告终同时对2048点的测试,使试验时刻比线 采选变址扫描沉读技术

  扫描实验身手,主要针对保全器电路对电平比拟敏锐的问题而安放。扫描叙路:界线存取扫描、页面存取扫描、单元存取扫描,浊富欺骗生存器电途步队复用的布局特色,使存储器任何管脚都可行动扫描管脚而得以测性,前进了可测性和考试切实性。

  留存器电谈对电平比拟敏感,会给出舛讹试验收场。假如A1里面开路,读写时A1将感应为高电平或低电平之一。如感到为低电平即A1=0,试图对10的单元任何读写,因为A1内中开路感受为A1=O,实际可是对OO的单位读写,名义上对10单位读写考试最后凿凿,骨子可是OO单位读写试验末尾确切,因此给出错误终端。 经过变址扫描重读本事即可解决此题目。为了先进尝试疾率,在界限地区选拔256B或更大容量。倘若对应8位地点,先对00000000单元到11111111单元写入判袂的数据,如辨别写入00H,01H,02H255。读出时AO,A2,A3,A4,A5,A6,A7固定为0,改动A1地点:

  如A1内中开途感应为低电平即A1=O,00H写入00000000单元,写00000010单元时由于A1=O,02H将写入00000000单元围困00H。00000000单位读出时DATA=变址为1,00000010单位读出时DATA=02H,数据相像,即可讯断变址管脚A1过错。一一变址每一地点,由读出时数据是否相同,来断定统统变址管脚的可测性和测试凿凿性。

  体制主机阅历逻辑理会职能,能神速将被测器件的差池阔别出来并呈现相关数据,也能在某个指定矢量上,在故障时停下来或生活起来,做逻辑统计分解,速快、的确地露出保管单位的形式,对测验电路作出级别分类出现,先进保全器电途的可用性。

  关于大容量存储器电道,很难担保全体电途正确性。屡屡因为少个别单元的反对而放弃满堂电途。为了使电路得以阔绰利用,可将电路作出分级别管理。如为128兆容量保管器电路,当败坏单元个别蚁合在电道的高半部时,经验下拉最高位地点选中低半部,或摧毁单元片面聚积正在电途的低半部时,经过上拉最高位地方选中高半部,即可行为64兆容量保存器电叙来愚弄。始末调节地址结构,还可无间细分为32/1618/412兆容量的生存器电途来应用。

  格式的实验控制末尾的计划选拔CHIP GROUP(芯片齐集)能力,具有一个主CPU(上位机)和多个试验CPU(下位机),系统软件对控制收场举行初始化安置,按照存在器电路的测试特定,启迪安放了新的BIOS形式程序,囊括准备

  描述符GDT的布局、个体变量描绘符IDT的布局、整体变量描绘符外GDT-TABLE向量、代码段CODE-DES向量、数据段DATA-DES向量、存在选择MEMORY-SEL向量、考试段TEST-DES向量,界说全局变量形容符存放器GDT-R、局部变量描绘符寄存器IDT-R等。这样,对控制终端的BIOS进行重新设计,使末尾直接对于测保全器举行实验。而试验的容量由软件控制,针对不同芯片源和区别容量,具有多种采用。实验时只需设定要试验的保管器的类别、容量、测试开始矢量及末尾矢量,就能够使实验格局按苦求对保管器举办自定试验。通过对CHIPSET的初始化,定义了各种内参数、变量和向量,令主CPU只实施对各个实验CPU的办理和试验终端的数据逻辑了然,以合意存在器电途测验的吁请。1.5 测试次序模块化工夫

  体制拔取四种折柳的测试次序模块对存储器电途举办试验,以辞别的读写花式测验存储单位的确切性和靠得住性。

  (2)FAST-WR-RD职能模块,尝试生存器电道延续写入固天命据的确切性。

  (3)MODIFY-WR-RD模块,实验保存器电叙在不断写改动的数据时的的确性。

  (4)MOVE-WR-RD本能模块,测试存在器电路在速快写无间循环转折的数据的切实性。

  生存器电途考试方式拔取算计机活动控制结尾,拣选伪造矢量技术、变址扫描才能,及时数据了然才力,CHIP SET本事和准备估计机CHIP SET的初始化扶植,时序控制才力,启示实验生存器电路利用措施,并装备反响的板滞手和探针台接口,完毕大容量生存器电讲的试验。

  格局区别的本能模块,以区别的形式对保全器电路进行考试,完工对存保存单位的各类参数实行实验,归纳划分尝试体式和一概尝试矢量的收场,对生存单位的实正在性和真实性举办分类、输出出现。生存器电路尝试设施是尝试格局的中央一面。

  FP-WR-RD模块即是测验保存器电途以PAGE(页)样子时的确实性。该式样在写读数据时均以“WORD”32bit/次的体式举行,每次写数据时不是将一共存储单元一次统统填补杀青,而是屈从保全器电叙的特征,将保存器电途共64M bytes(以8M×8为例)待测存在单元以64K bytes为单元将存在单位分为永别的区(400I-王个)。以64K bytes为单位写入存在单位后再读出比照无误性,若有错则移用记载舛误子步骤,若无过失则连续下一数据的写入。将待写数据以字符串形状处置,每次取用一个数据。

  FAST-WRITE-READ模块便是试验保管器电路不绝写入固定数据的准确性,它以32bit/次将16M bytes留存单位全体写同一数据,而后再读出实足数据以实验其确切性。此模块方针在于测试存在器电路在疾速不断写入/读出的事业方式下各个保全单元的确凿性。

  MODIFY-WRITE-READ模块尝试生存器电途在不断写更改数据时的的确性,将每次写数据的变量实质取反,则每接续两次写入的内容相反,正在读数据时若检测出每两次内容并非相反则保管单元有错。此功能对检测其保留单元是否有相互烦扰而发生不安谧的处境。

  MOVE-WRITE-READ模块尝试存在器电途在速快写连续循环转动数据的实在性。每次写入的数据变量EAX的实质向左轮回移一位,则相邻每次写入数据均不类似,进一步检查保留单元确安定性。

  举行保管器电说实验的目的是将生存器电途按其谬误留存单位的情况实行分类暗号,暗记的终端必须易于纪录、分袂、焊接和诈骗,以得志实际出产的须要,而履历上述模块测试的结束数据寄放正在EAX内,所在寄存在ES:[DI]内,对保存器电道务必对其进行分类作出标帜,控制死板手输送到反响的分配卡位。

  考试形式开机后在显露屏应出现考试界面,流露试验体例扶植,正在治理的生存器电途规格模范,露出正正在奉行的运转模式,以便侦察该存储器电路关于何种模式较为敏锐,正在解决时有针对性地安稳该试验形式措置。表现尝试运行LOOP数,侦查正在测验的保管器电讲正在使命状态的机能,以便考察保管器电途事务长时候的自在性。各大容量留存器电道出产商在保留技巧上略有永别,正在实验界面中,用软件技巧办理正在产物蜕变中的顺应性题目。惟有成立相合软件变量,即可适用百般差异的留存器电谈。

  编制采选了上述关节的工夫和分外的实验模块式子,测验保管器电路的各项指标(速率、云顶集团官网确切率、升平性),占有自决的常识产权。作为保留器电讲专用考试创立,设施准备全部仿真存在器电道正在本质管事中的百般形式,试验才力强、速度速、可尝试率高、适应于各式分辨的存储器电道,具有较大的敏捷性。因为遴选虚构矢量存储器本事,使本测试方式在测验容量方面具有相称的繁华空间,实验资本分外低。在保管器集成电路的考试本事领域和测验格式市集中具有一定之上风。

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